Ionenstrahlsynthese von halbleitenden Übergangsmetall-Siliciden und deren Charakterisierung
- Halbleitende Übergangmetall-Silicide mit einer direkten Bandlücke sind vielversprechende Kandidaten für die Realisierung von Silicium-basierten optoelektronischen Bauelementen. Die beiden Kandidaten,das \(\beta\)-FeSi\(_{2}\) und das Ir\(_{3}\)Si\(_{5}\), wurden mittels strukturierter Hochenergie Ionenimplantationen hergestellt. Die Implantationstemperatur, die Ionenstrahlenergie, das Ausheilverfahren, die Dosis sowie Ionenstromdichte und die Strukturgröße müssen aufeinander abgestimmt werden, da sie wichtige Parameter für die Herstellung einer optimalen Schicht sind. Einige hundert Strukturen wurden unter verschiedenen Bedingungen hergestellt und mittels \(\mu\)-Raman-Spektroskopie, \(\mu\)-Channeling/RBS, REM und Photo- bzw. Elektrolumineszenz untersucht.
Author: | Ümit DagkaldiranGND |
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URN: | urn:nbn:de:hbz:294-18794 |
Referee: | Claus RolfsGND, Andreas D. WieckORCiDGND |
Document Type: | Doctoral Thesis |
Language: | German |
Date of Publication (online): | 2007/03/13 |
Date of first Publication: | 2007/03/13 |
Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie |
Date of final exam: | 2007/02/08 |
Creating Corporation: | Fakultät für Physik und Astronomie |
GND-Keyword: | Channeling; Rutherford Back Scattering; Raman-Spektroskopie; Silicide; Ionenimplantation |
Dewey Decimal Classification: | Naturwissenschaften und Mathematik / Physik |
faculties: | Fakultät für Physik und Astronomie |
Licence (German): | Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht |