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Self-generated and externally driven current oscillations in n-GaAs

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-169393
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.16939
Spangler, J. ; Prettl, Wilhelm
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 04 Okt 2010 12:19


Zusammenfassung

Experimental investigations of self-generated and externally driven non-linear current oscillations due to impact ionization of shallow impurities in n-type GaAs at low temperatures are presented. The regular relaxation oscillations which appear at the onset of breakdown are destabilized by a magnetic field normal to the epitaxial layer and multifrequency oscillations and chaotic fluctuations ...

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