- AutorIn
- Thomas Mikolajick Technische Universität Dresden, Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik, Institut für Halbleiter- und Mikrosystemtechnik (IHM), Professur für Nanoelektronik#Nanoelectronic Materials Laboratory GmbH, Dresden
- Stefan SlesazeckNanoelectronic Materials Laboratory GmbH, Dresden
- Min Hyuk ParkNanoelectronic Materials Laboratory GmbH, Dresden,
- Uwe Schroeder
- Titel
- Ferroelectric hafnium oxide for ferroelectric random-access memories and ferroelectric field-effect transistors
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-814642
- Quellenangabe
- MRS Bulletin
Erscheinungsjahr: 2018
Jahrgang: 43
Seiten: 340-346
E-ISSN: 1938-1425 - Erstveröffentlichung
- 2018
- Abstract (EN)
- Ferroelectrics are promising for nonvolatile memories. However, the difficulty of fabricating ferroelectric layers and integrating them into complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices has hindered rapid scaling. Hafnium oxide is a standard material available in CMOS processes. Ferroelectricity in Si-doped hafnia was first reported in 2011, and this has revived interest in using ferroelectric memories for various applications. Ferroelectric hafnia with matured atomic layer deposition techniques is compatible with three-dimensional capacitors and can solve the scaling limitations in 1-transistor-1-capacitor (1T-1C) ferroelectric random-access memories (FeRAMs). For ferroelectric field-effect-transistors (FeFETs), the low permittivity and high coercive field Ec of hafnia ferroelectrics are beneficial. The much higher Ec of ferroelectric hafnia, however, makes high endurance a challenge. This article summarizes the current status of ferroelectricity in hafnia and explains how major issues of 1T-1C FeRAMs and FeFETs can be solved using this material system.
- Andere Ausgabe
- Link zum Artikel, der zuerst in der Zeitschrift 'MRS Bulletin' bei Springer erschienen ist
DOI: https://doi.org/10.1557/mrs.2018.92 - Freie Schlagwörter (DE)
- Ferroelekttizität, ferroelektrische Speicher, Hafniumoxid, ferroelektrische Feldeffekttransistoren (FeFETs), Ferroelektrische Direktzugriffsspeicher (FeRAMs)
- Freie Schlagwörter (EN)
- Ferroelectriccity, ferroelectric memories, hafnium oxide, ferroelectric field-effect-transistors (FeFETs), ferroelectric random-access memories (FeRAMs)
- Klassifikation (DDC)
- 670
- Verlag
- Springer, Berlin
- Förder- / Projektangaben
- Europäische Union (EU)
Europäischer Fonds für regionale Entwicklung
(EFRE) - Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG)
- Version / Begutachtungsstatus
- angenommene Version / Postprint / Autorenversion
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-814642
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 17.10.2022
- Dokumenttyp
- Artikel
- Sprache des Dokumentes
- Englisch
- Lizenz / Rechtehinweis