Electronic properties of my-Si : H layers investigated with Hall measurements

Bronger, Torsten; Wuttig, Matthias

doi:urn:nbn:de:hbz:82-opus-21088

Electronic properties of my-Si : H layers investigated with Hall measurements = Elektronische Eigenschaften von µc-Si:H-Schichten mittels Hall-Messungen

Bronger, Torsten (Author)

2007

Verantwortlichkeitsangabevorgelegt von Torsten Bronger

ImpressumAachen : Publikationsserver der RWTH Aachen University 2007

Umfang129 S. : Ill., graph. Darst.

Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2007

Genehmigende Fakultät
Fak01

Hauptberichter/Gutachter
Wuttig, Matthias (Thesis advisor)

Tag der mündlichen Prüfung/Habilitation
2007-02-28

Online
URN: urn:nbn:de:hbz:82-opus-21088
URL: https://publications.rwth-aachen.de/record/62553/files/Bronger_Torsten.pdf

Einrichtungen

Inhaltliche Beschreibung (Schlagwörter)
Siliciumhalbleiter (Genormte SW) ; Hall-Beweglichkeit (Genormte SW) ; Halbleiterschicht (Genormte SW) ; Elektron (Genormte SW) ; Temperaturleitfähigkeit (Genormte SW) ; Physik (frei) ; Halleffekt (frei) ; Dünnschicht (frei) ; Beweglichkeit (frei) ; mikrokristallin (frei) ; Silizium (frei) ; Hall effect (frei) ; electron mobility (frei) ; microcrystalline (frei) ; silicon (frei) ; thinfilm (frei)

Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 530

Kurzfassung
Untersuchung der elektronischen Eigenschaften von dünnen Schichten aus mikrokristallinem Silizium. Temperaturabhängige Bestimmung der Beweglichkeit und der Ladungsträgerkonzentration der Elektronen in Schichten mit unterschiedlicher Dotierung und Kristallinität. Vorschlag eines Modells mittels Potentialbarrieren mit einer Höhenverteilung, um die Ergebnisse zu erklären.

Examination of the electronic properties of thin films of microcrystalline silicon. Temperature-dependent determination of the mobility and carrier concentration of the electrons in layers with different doping levels and crystallinity. Proposal of a model of potential barries with a height distribution in order to explain the results.

Fulltext:
PDF