Die unbesetzte elektronische Bandstruktur topologischer Isolatoren

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der experimentellen Bestimmung der unbesetzten elektronischen Bandstruktur von topologischen Isolatoren. Diese Materialien sind Halbleiter mit starker Spin-Bahn-Wechselwirkung, deren globale Bandlücke des Volumenkristalls leitende Oberflächenzustände aufweist....

Verfasser: Zumbülte, Anna
Weitere Beteiligte: Donath, Markus (Gutachter)
FB/Einrichtung:FB 11: Physik
Dokumenttypen:Dissertation/Habilitation
Medientypen:Text
Erscheinungsdatum:2015
Publikation in MIAMI:16.10.2015
Datum der letzten Änderung:11.11.2015
Angaben zur Ausgabe:[Electronic ed.]
Schlagwörter:Festkörperphysik; Inverse Photoemission; Unbesetzte Bandstruktur; Topologische Isolatoren; Spinauflösung
Fachgebiet (DDC):530: Physik
Lizenz:InC 1.0
Sprache:Deutsch
Format:PDF-Dokument
URN:urn:nbn:de:hbz:6-98209493907
Permalink:https://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:hbz:6-98209493907
Onlinezugriff:diss_zumbuelte.pdf

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der experimentellen Bestimmung der unbesetzten elektronischen Bandstruktur von topologischen Isolatoren. Diese Materialien sind Halbleiter mit starker Spin-Bahn-Wechselwirkung, deren globale Bandlücke des Volumenkristalls leitende Oberflächenzustände aufweist. Als zu untersuchende Systeme wurden für diese Arbeit zwei der drei prominentesten topologischen Isolatoren gewählt, Bi2Se3 und Sb2Te3. Zusätzlich wird als topologisches Halbmetall und Ursprungskomponente von Sb2Te3 auch die Bandstruktur von Sb(111) bestimmt. Die verwendete Messmethode ist die spin- und winkelaufgelöste Inverse Photoemission.