Nanoanalysis by atom probe tomography of tunnel magnetoresistive (TMR) structures

In dieser Arbeit werden die beiden ferromagnetischen Legierungen CoFeB und Co2MnSi mit Hilfe von Atomsondentomographie (ATP) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Wegen ihren spintronischen Eigenschaften werden beide Materialien tunnelmagnetische Widerstände eingesetzt. Für techni...

Verfasser: Bouchikhaoui, Houari
Weitere Beteiligte: Schmitz, Guido (Gutachter)
FB/Einrichtung:FB 11: Physik
Dokumenttypen:Dissertation/Habilitation
Medientypen:Text
Erscheinungsdatum:2016
Publikation in MIAMI:21.06.2016
Datum der letzten Änderung:21.06.2016
Angaben zur Ausgabe:[Electronic ed.]
Schlagwörter:ferromagnetische Legierungen; Atomsondentomographie; tunnelmagnetische Widerstände; Bor; Diffusion; Kristallisation
Fachgebiet (DDC):530: Physik
Lizenz:InC 1.0
Sprache:English
Format:PDF-Dokument
URN:urn:nbn:de:hbz:6-95259636585
Permalink:https://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:hbz:6-95259636585
Onlinezugriff:diss_bouchikhaoui.pdf

In dieser Arbeit werden die beiden ferromagnetischen Legierungen CoFeB und Co2MnSi mit Hilfe von Atomsondentomographie (ATP) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Wegen ihren spintronischen Eigenschaften werden beide Materialien tunnelmagnetische Widerstände eingesetzt. Für technische Anwendungen sind insbesondere Multischichtsysteme dieser Legierungen interessant, Deshalb werden auch die beiden Multischichten Ta/CoFeB/MgO und Co2MnSi/MgO/Co2MnSi /MgO in dieser Arbeit näher untersucht. Zur Probenherstellung wird das Ionen Strahl Sputter Verfahren verwendet. Beide schichtfolgen werden je nach Einsatzbereich entweder auf planare Siliziumstücke oder spitzenförmige Wolfram Drähte deponiert. Für die Untersuchung im Elektronenmikroskop werden die planaren Silizium Substrate bevorzugt, während für die Atomsonde nur spitzenförmige Proben benutzt werden können. Durch verschiedene aber klar definierte Temperaturbehandlungen werden Festkörperreaktionen zwischen den beteiligten Schichten verursacht, welche anschließend im Mikroskop oder mit der Atomsonde visualisiert werden können.Für die Ta/CoFeB/MgO Schichtfolge zeigt sich, dass Bor homogen in der amorphen CoFeB-Legierung gelöst ist, wenn keine Temperaturbehandlung unternommen wird. Jedoch scheiden sich Kobalt Eisen Kristallite an der Magnesiumoxid Barriere aus, sobald eine geeignete Wärmebehandlung durchgeführt wird. Das zurück gewiesene Bor segregiert hingegen in die entgegengesetzte Richtung und reichert sich an der Tantal-Grenzfläche an. Im Fall der des Co2MnSi/MgO/Co2MnSi/MgO- Multilayers diffundiert Mangan über die Korngrenzen in das benachbarte Magnesiumoxid. Durch Auswerten der Konzentrationsprofile kann die Diffusionslänge von Mangan in Magnesiumoxid als Funktion der Glühzeit bestimmt werden. Mit Hilfe von zwei Modellvorschlägen wird versucht die Konzentrationsprofile zu erklären und den Diffusionskoeffizient von Mangan in Magnesiumoxid zu bestimmen.