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Rigorose Modellbeschreibung für InP basierte Heterostruktur-Bipolartransistoren

For circuit simulation and device optimisation it is necessary to have one consistent model which describes not only the DC-behaviour of the device correcty but also the the small-signal and noise behaviour. This work presents a rigorous modell-description of an InP based heterojunction bipolartransitor taking into account material specific effects for all bias conditions.

Vorschau

Einordnung

Titelübersetzung:
Rigorous model description for InP-based heterojunction bipolartransistors (Englisch)
Akademische Betreuung:
LSF
3910
Prof. Dr. rer. nat. Tegude, Franz-Josef
Datum der Erstellung:
29.07.2005
Datum der Promotion:
29.07.2005
URN:
urn:nbn:de:hbz:464-duett-03282006-1147351
PURL:
http://purl.oclc.org/NET/duett-03282006-114735
Sprache:
Deutsch
Ressourcentyp:
Text
Schlagwörter:
emitter-area scaling; temperature dependent; bias dependent; model; HBT; rf-noise; InP; equivalent circuit
Kollektion:
E-Dissertationen
Dewey Dezimal-Klassifikation:
620 Ingenieurwissenschaften
Sachgruppen der Deutschen Nationalbibliographie:
620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Einrichtung:
Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Elektrotechnik und Informationstechnik

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