Gegenstand dieser Arbeit waren Reaktivitätsstudien subvalenter Magnesiumorganyle gegenüber verschiedenen Antimonalkylen sowie vergleichende Reaktionen subvalenter Aluminium- und Galliumorganyle gegenüber des Antimon-, Arsen- und Phosphorsamiden und -halogeniden. In situ 1H-NMR-Reaktionsstudien der Reaktionen von [ddpMg]2 1 mit SbMe3 5, SbEt3 6, SbnBu3 7 und SbiBu3 8 sowie entsprechende Reaktionen von [ttpMg]2 2 mit 5 und 6 zeigten bei Reaktionstemperaturen von 120 °C jeweils die Aktivierung der Antimon-Kohlenstoff-Bindungen, wobei die Reaktionszeiten mit Zunahme des sterischen Einflusses der am Antimonatom gebundenen Alkylreste anstiegen. In allen Reaktionen zeigte sich ein vergleichbarer Reaktionsverlauf, der jeweils zu zwei verschiedenen Reaktionsprodukten führte. In allen Reaktionen wurden die homoleptischen Magnesiumkomplexe ddp2Mg (1 + 5 – 8) bzw. ttp2Mg (2 + 5, 6), welche bereits literaturbekannt sind, gebildet und eindeutig identifiziert. Im Falle der Reaktion zwischen 2 und 5 konnte zudem die alkylverbrückte Magnesiumverbindung [ttpMg(µ Me)]2 16 isoliert und strukturell charakterisiert werden. Die Analogie der Reaktionsverläufe und der resultierenden 1H-NMR-Spektren der Reaktionen von 1 mit 5 – 8 sowie 2 mit 5 und 6 legt die Bildung entsprechender alkylverbrückter Magnesiumspezies des Typs [LMg(µ-R)]2 (L = ddp, ttp; R = Me, Et, nBu, iBu) nahe, konnten aber im Rahmen dieser Arbeit nicht strukturell bewiesen werden. Mit [ddpMg(µ-Me)]2 und [ddpMg(µ-nBu)]2 sind zwei Produkte bereits literaturbekannt. Diese wurden in den 1H-NMR-Reaktionsspektren zwischen 1 und 5 sowie zwischen 1 und 7 neben ddp2Mg als weitere Reaktionsprodukte eindeutig nachgewiesen. Das Auftreten antimonhaltiger Reaktionsprodukte mit direkten Mg Sb-Bindungen konnte im Gegensatz zu den bereits von Schulz et al. publizierten Sb8 Clustern aus Reaktionen zwischen 1 und 2 mit Sb2Me4 und Sb2Et4 nicht beobachtet werden. Stattdessen wurde die Bildung metallischer Niederschläge beobachtet, die EDX-Analysen zufolge aus Magnesium und Antimon bestehen. Reaktionen der subvalenten Gruppe 13-Diyle ddpAl 3 und ddpGa 4 mit Antimon-, Arsen- und Phosphoramiden und -halogeniden zeigten klare Trends bezüglich der Reaktivität sowie der Reaktionsverläufe. Während Reaktionen von 4 mit SbCl3 und AsCl3 bereits bei Raumtemperatur unter Eliminierung von ddpGaCl2 zur Bildung der Dipnictene [ddp(Cl)Ga]2Sb2 19 und [ddp(Cl)Ga]2As2 25 führte, zeigte sich bei analogen Reaktionen mit PCl3 und PBr3 keine Bildung entsprechender Diphosphene. Die Reaktionen endeten jeweils mit der Bildung der doppelten Insertionsprodukte [ddp(Cl)Ga]2PCl 26 und [ddp(Br)Ga]2PBr 27. Diese sind offenkundig deutlich stabiler als die im Verlaufe der analogen Reaktionen mit AsCl3 und SbCl3 gebildeten Doppelinsertionsprodukte, die als Reaktionsintermediate postuliert werden. Entsprechende Reaktionen von ddpGa 4 Antimon-, Arsen- und Phosphoramiden benötigten deutlich harschere Reaktionsbedingungen. Während die Reaktion von 4 mit Sb(NMe2)3 9, die unter Eliminierung von ddpGa(NMe2)2 und anschließender Bildung des Distibens [ddp(Me2N)Ga]2Sb2 17 verläuft bei einer Reaktionstemperatur 80 °C innerhalb von 24 Stunden abgeschlossen ist, benötigte es für die entsprechende Reaktion mit dem sterisch anspruchsvolleren Amid Sb(NMeEt)3 13 eine Reaktionszeit von fünf Tagen bei 60 °C unter solvensfreien Bedingungen, um das analoge Distiben [ddp(EtMeN)Ga]2Sb2 18 darzustellen. Hier zeigte sich deutlich eine Korrelation der Reduktionsstärke von 4 mit dem sterischen Anspruch des Reaktionspartners, Reaktionen von 4 mit Sb(NEt2)3 10, Sb(NiPr2)3 11 und Sb(NTMS2)3 12 konnten dagegen selbst bei langen Reaktionszeiten und hohen Reaktionstemperaturen nicht beobachtet werden. Reaktivitätsstudien von ddpGa 4 mit den leichteren Elementamiden As(NMe2)3 14 und P(NMe2)3 zeigten im Vergleich zu der Reaktion von 4 mit Sb(NMe2)3 9 einen Anstieg der E-N-Bindungsstärke (E = Sb, As, P) in Richtung von Antimon zu Phosphor. Während 4 die Sb-N-Bindung in 9 bereits bei 80 °C innerhalb von 24 Stunden unter Eliminierung von ddpGa(NMe2)2 und der Bildung des Distibens [ddp(Me2N)Ga]2Sb2 17 aktiviert, benötigt die entsprechende Reaktion mit 14 Temperaturen von 160 °C bei einer Reaktionszeit von fünf Tagen, bis die Bildung des analogen Diarsens [ddp(Me2N)Ga]2As2 22 abgeschlossen ist. Eine Aktivierung der P-N-Bindung von P(NMe2)3 durch 4 konnte dagegen nicht mehr beobachtet werden. Die Reaktion von ddpAl 3 mit As(NMe2)3 14 hingegen führte bereits bei einer Reaktionstemperatur von 80 °C nach 24 Stunden zur Bildung des Aluminium-koordinierten Diarsen [ddp(Me2N)Al]2As2 24. Dieser Befund belegt das stärkere Reduktionspotential von ddpAl 3 im Vergleich zu ddpGa 4. Der Versuch, dass Diarsen [ddp(Me2N)Ga]2As2 22 durch Reaktion von 4 mit AsCl2NMe2 15 unter Eliminierung von ddpGaCl2 darzustellen, gelang nicht. Stattdessen wurde das unsymmetrisch-substituierte Diarsen [ddp(Me2N)Ga]As2[Ga(Cl)ddp] 23 unter Eliminierung von ddpGaCl2 und ddpGa(Cl)NMe2 erhalten. Die Thermolyse der Distibene [ddp(Me2N)Ga]2Sb2 17 und [ddp(Cl)Ga]2Sb2 19 führte unter Eliminierung von ddpGa 4 und ddpGa(NMe2)2 bzw. ddpGaCl2 selektiv zur Darstellung der ersten beiden Sb-Analoga von Bicyclo[1.1.0]butan [ddp(Me2N)Ga2(µ,η1:1-Sb4)] 20 und [ddp(Cl)Ga2(µ,η1:1-Sb4)] 21. Diese Verbindungen sind präzedenzlos in der Antimonchemie. Die Ergebnisse dieser Arbeit zeigen zusammenfassend in beeindruckender Weise einen generellen Trend zur Bildung von Dipnictenen durch Reaktionen von ddpAl und ddpGa mit Halogeniden- und Amiden der schwereren Elementhomologen des Phosphors, und belegen das herausragende synthetische Potential von subvalenten Hauptgruppen-metallorganylen. Die Darstellung der Dipnictene durch Insertions Reduktions-reaktionen von ddpAl und ddpGa zeigt einen klaren Vorteil gegenüber der klassischen Darstellungsweise von Diarsenen und Distibenen. Es bedarf im Vorfeld keiner gezielten Synthese sterisch anspruchsvoller Arsen- und Antimonprecursoren, in welchen die Reste nach anschließender Reduktion eine mögliche As=As- oder Sb=Sb-Doppelbindung stabilisieren sollen. ddpAl und ddpGa wirken gleichzeitig als Reduktionsmittel sowie als koordinierende, sterisch anspruchsvolle Liganden, welche eine hinreichende kinetische Stabilisierung der in dieser Arbeit dargestellten Dipnictene erlauben. Dibismutene bestätigen diesen Trend durch Bildung von Element-Element-Doppelbindungen innerhalb der Reihe, welche bereits ausgehend von Reaktionen zwischen ddpGa und Bi(NEt2)3 und den Bismutalkoxiden Bi(OR3)3 (R = OSO2CF3, OC6F5) dargestellt werden konnten. Entsprechende Reaktionen mit Phosphorhalogeniden verliefen unter Bildung von Gallium-disubstituierten Phosphanen des Typs [ddp(X)Ga]2PX2 (X = Cl, Br), in welchen ddpGa in zwei PX-Bindungen von PX3 (X = Cl, Br) insertiert.