In dieser Arbeit werden die optischen und elektrischen Eigenschaften von in der Gasphase hergestellten, halbleitenden Nanopartikeln untersucht. Dabei handelt es sich im einzelnen um Nanopartikel aus Silizium, Zinkoxid und Eisendisilizid. Es wird die Eignung von Silizium-Nanopartikeln als Lichtemitter untersucht. Dabei werden zwei unterschiedliche Ansätze verfolgt: Zum einen die Einbettung der Nanopartikel als Emitterschicht in anorganische Schichten auf halbleitenden Substraten und zum anderen die Einbettung in Schichten aus elektrisch leitfähigen Polymeren auf Glassubstraten. Zuerst wird die Photolumineszenz der verwendeten Si-Nanopartikel, der Substrate und der Polymere untersucht und anschließend mit der Elektrolumineszenz der daraus produzierten Nanopartikel-LEDs verglichen. Das Spektrum der anorganischen Nanopartikel-LEDs setzt sich dabei aus der Emission von Nanopartikeln und Substrat zusammen. Analog dazu setzt sich das Spektrum der organischen Nanopartikel-LEDs aus der Emission von Nanopartikeln und den verwendeten Polymeren zusammen. Bei Zinkoxid sind, neben den optischen Eigenschaften dieses Materials, die elektrischen Eigenschaften von Interesse. Die Herstellung des verwendeten Zinkoxids erfolgte in der Gasphase mit Hilfe eines Plasmareaktors. Durch Variation der Prozessparameter, wie Druck und Leistung, konnte die Größe der Nanopartikel kontrolliert und so die bisher kleinsten Zinkoxid-Nanopartikel hergestellt werden. Die Untersuchung der optischen Eigenschaften erfolgte mittels Messung der Photolumineszenz. Dabei konnte eine sehr hohe Quanteneffizienz von 60% gemessen werden, die höchste, die bisher in der Literatur erwähnt wird. Die Wellenlänge sinkt mit dem Partikeldurchmesser und liegt aufgrund des quantenmechanischen Einschlusses unterhalb der Wellenlänge des Volumenmaterials. Die optischen Eigenschaften, in diesem Fall Quanteneffizienz und Defektlumineszenz, werden dabei stark von OH-Gruppen auf der Partikeloberfläche beeinflusst. Zur Bestimmung der elektrischen Eigenschaften wird das Zinkoxid in einer wässrigen Lösung dispergiert und mittels eines Druckers in Schichten auf vorstrukturierten Substraten gedruckt. Im Anschluss erfolgt die Sinterung dieser gedruckten Schichten mittels UV-Laser. Der elektrische Widerstand kann durch diesen Sinterprozess um zwei Größenordnungen verringert werden. Das beobachtete elektrische Verhalten der ZnO-Schichten entspricht dem eines Varistors. Zusätzlich trat bei einigen Messungen das Verhalten eines Memristors auf. Eisendisilizid ist in der beta-Phase ein halbleitendes Material. Im Heißwand-Reaktor hergestelltes, phasenreines beta-FeSi2 wird in Ethanol dispergiert und zur Charakterisierung der elektrischen Eigenschaften in Schichten auf lithographisch vorstrukturierten Substraten aufgeschleudert. Die auf diese Weise hergestellten Schichten wurden untersucht und weisen eine hohe Porosität von 75% auf. Bei der Aufnahme von Strom-Spannungskurven wird eine geschlossene Hysteresekurve beobachtet, was auf eine Ladungsspeicherung hindeutet. Durch eine gezielte Lade- und Entladeprozedur konnte anschließend eine spezifische Speicherkapazität im Bereich von 1 F/g nachgewiesen werden, was für Kondensatoren ohne Elektrolyten eine enorme Kapazität darstellt. Die Untersuchung auf Einflüsse durch die Umgebung ergibt eine exponentielle Abhängigkeit der Speicherkapazität von der Luftfeuchtigkeit. Es werden weitere Substanzen und deren physikalische Eigenschaften im Hinblick auf die Speicherkapazität untersucht. Im Anschluss werden Untersuchungen zur möglichen Ursache der hohen Speicherkapazität durchgeführt. Bei Vergleichsmessungen mit anderen halbleitenden Nanopartikeln konnte ebenfalls eine Ladungsspeicherung beobachtet werden.