Komplett anorganische ZnO Nanopartikel LEDs bieten eine interessante Alternative zu herkömmlichen OLEDs und epitaktischen LEDs. Anorganische Materialien sind typischerweise stabiler als Organische, ZnO zeigt Lumineszenz vom UV bis zum niederenergetischen Ende des sichtbaren Spektrums und ein Nanopartikel Material erlaubt die Anwendung in fortgeschrittenen Konzepten, beispielsweise die LED Herstellung durch Inkjet-Drucken und die Realisierung von flexiblen LEDs. Die wesentliche Schwierigkeit bei der Entwicklung von anorganischen ZnO Nanopartikel LEDs für praktische Anwendungen liegt in ihrer sehr niedrigen externen Quanteneffizienz begründet. Zur Diskussion der Ursachen kann die externe Quanteneffizienz in drei Hauptbestandteile unterteilt werden: die Auskoppelungseffizienz, die Injektionseffizient und die strahlende Quanteneffizienz des aktiven Materials. Die Auskoppelungseffizienz beschreibt den Anteil der im Bauelement generierten Photonen, die das Bauelement anschließend tatsächlich verlassen und die Umgebung beleuchten. Da Konzepte zur Auskoppelung von anderen LED Typen übernommen werden können, wird der Fokus dieser Arbeit auf die Injektionseffizienz und strahlende Quanteneffizienz gelegt, die ZnO spezifische Herausforderungen bergen. Die Injektionseffizienz beschreibt den Anteil der Ladungsträger, die ein Elektron-Loch Paar bilden, an denen, die insgesamt durch das Bauteil fließen. Während Elektronen recht einfach in ZnO injiziert werden können, beispielsweise mit einer Aluminium Elektrode, sind Löcher nur schwer zu injizieren. Der Grund hierfür liegt im sehr niedrigen Valenzbandniveau von ZnO bei -7.5 eV, eine Eigenschaft, die sogar zur Anwendung von ZnO als Lochblockierschicht in Solarzellen geführt hat. Hier werden verschiedene Lochinjektionsschichten, NiO, WO3 und GaN, untersucht, mit dem Ziel, die Injektionsbarriere zu reduzieren, der Löcher an der Grenzschicht zu ZnO auf Anodenseite gegenüberstehen. Außer im Valenzbandniveau unterscheiden sich die untersuchten Lochinjektoren in wesentlichen anderen Eigenschaften, ob sie p- oder n-leitend sind und ob sie eine Elektronenbarriere bereitstellen oder nicht. Damit geben sie Hinweise auf den Einfluss dieser weiteren Eigenschaften Lochinjektors für ZnO. Es wird gezeigt, dass sich die Injektionseffzienz von 0.01% mit einem unbeschichtetes ITO Substrat als Injektor auf 31% mit einer p-GaN:Mg Injektionsschicht steigern lässt. Die strahlende Quanteneffizienz des aktiven Materials beschreibt den Anteil der Elektron-Loch Paare im aktiven Material die strahlend rekombinieren. Während die Bandlückenlumineszenz von ZnO typischerweise sehr ineffizient ist (<1%), wurde effiziente blaue, grüne und gelbe Emission von ZnO Nanopartikeln bereits nachgewiesen. Diese Partikel wurden jedoch in der Flüssigphase mit Hilfe von Sol-Gel Methoden hergestellt und mussten zur Stabilisierung mit isolierenden Liganden versehen werden, wodurch sich Nachteile für die Verwendung in elektrischen Bauelementen ergeben. Hier wird eine Methode entwickelt, mit der sich intensiv grün leuchtende ZnO Quantenpunkte aus der Gasphase mit einem nicht-thermischen Plasma herstellen lassen. Außergewöhnlich hohe Quanteneffizienzen von bis zu 60% wurden für die kleinsten ZnO Quantenpunkte nach Exposition an Luft für einen Tag festgestellt, was den höchsten Wert für Nanopartikel aus einem Verbindungshalbleiter darstellt, die in der Gasphase hergestellt wurden. Systematische Studien zeigen den Einfluss der Atmosphäre auf die Lumineszenzeigenschaften und werden genutzt, um den Mechanismus der effizienten grünen Rekombination zu verstehen.