Bislang besteht der Lichtabsorber nahezu aller installierter photovoltaischer (PV) Module aus ein- oder multikristallinem Silicium (c-Si oder mc-Si). Wegen ihrer geringeren Kosten pro installierter Leistung existiert jedoch seit einigen Jahren ein Trend hin zu Dünnschichtzellen. Das Fernziel der dieser Arbeit zugrundeliegenden Untersuchungen besteht deswegen darin, druckbare PV Zellen zu realisieren, deren Dünnfilm-Absorberschicht aus Si Nanopartikeln (NP) hergestellt wird. Si bietet sich an, da es ungiftig ist und eine nahezu unbegrenzt verfügbare Ressource darstellt. Die Partikelform wurde gewählt, weil NP dispergiert und somit materialeffizient verdruckt werden können. In einem ersten Schritt wurden in dieser Arbeit c-Si Substrate mit hoch dotierten Si NP beschichtet und mittels Laser-Temperns eine dotierte Substratschicht erzeugt. Für das Tempern standen ein infraroter (IR, Wellenlänge λ = 808nm) Dauerstrahllaser und ein gepulster, ultravioletter (UV, λ = 248nm) Laser zur Verfügung. Für beide Laser konnte durch elektrische (Vierpunkt-Leitfähigkeit) und analytische (SIMS / ECV) Messungen nachgewiesen werden, dass Dopanden in das Substrat eingebracht werden. Während der IR-Laser Dotiertiefen von ca. 100µm erzeugte, betrugen sie für den UV-Laser lediglich ca. 200nm. Durch Anwenden dieser Technik auf dotierte Substrate mit komplementär dotierten NP, konnten pn-Übergange geschaffen werden, die einen PV Effekt zeigen. Die dünnere Emitterschicht (≈Dotiertiefe) ist ein wichtiger Grund dafür, dass die maximalen Konversionseffizienzen η der UV-Laser behandelten Proben (η ≈ 6%) deutlich über denen der IR-Laser behandelten Proben (η ≈ 2%) liegen. Als Hauptgrund für die für c-Si PV vglw. niedrigen Konversionseffizienzen werden chemische und strukturelle Defekte vermutet. Ihre Reduktion lässt eine deutliche Effizienzsteigerung erwarten. Wegen der zu großen Dotiertiefe wurde der IR-Laser für weitere Experimente ausgeschlossen. Für die Produktion von PV Zellen kann die UV-Laser NP Dotiermethode weiterhin interessant sein, um das Aluminium (Al) aus dem Standardrückseitendotierprozess zu verdrängen: Bei einer Reduktion der Substratdicke zukünftiger Generationen von PV Zellen würde das Al wegen des von Si abweichenden, temperaturabhängigen Ausdehnungskoeffizienten zu einer Substratverbiegung führen. Mit der präsentierten Technik konnte eine Rückseitendotierung von mc-Si Solarzell-Halbzeugen realisiert werden; bislang ist aber nicht klar, ob die Technik wirklich zu einer ähnlichen oder sogar höheren Effizienz als der Standardprozess führen kann. Diese Methode könnte bereits heute für die PV-Industrie interessant sein, weil sie eine Verbiegung verhindern sollte und ein unabhängiges Bearbeiten von Vorder- und Rückseite ermöglicht. Nachdem es möglich war, Si Substrate umzudotieren, wurden in einem zweiten Schritt grundlegende Versuche durchgeführt, um pn-Übergänge nur aus Si NP herzustellen. So wurden pn-Proben einerseits durch Spark-Plasma-Sintern (SPS) von p- auf n-typ NP-Schüttungen und andererseits durch sukzessive Schleuderbeschichtung von p- auf n-typ Dispersionen und deren Lasertemperung hergestellt. Während die SPS-Versuche primär das Ziel verfolgten, einen direkteren Einblick in den nur aus NPn erzeugten pn-Übergang zu ermöglichen, stellt die Schleuderbeschichtungsmethode eine deutlich anwendungsnahere Methode dar. In beiden Fällen wurde eine elektromotorische Kraft gemessen, wobei nicht abschließend geklärt werden konnte, ob deren Ursprung die PV ist. Dass es aber gelang, leitfähige Schichten auf isolierenden Substraten zu realisieren, stellt einen ersten Schritt in Richtung druckbarer Si PV aus NP dar.