Die vorliegende Arbeit präsentiert Messungen zum ballistischen Transport von Elektronen und Löchern an Metallfilmen, organische Molekülen und Oxidschichten. Die Messungen basieren auf der Methode der ballistischen Elektronen Emissions Mikroskopie BEEM und ballistischen Löchern Emissions Mikroskopie (BHEM). Antimon (Sb) wurde auf ein n-dotiertes Silizium Si(001) und Si(111)-Substrat aufgebracht. Durch die Präparation bei tiefen Temperaturen konnte zwischen dem Antimon und dem Siliziumsubstrat ein Schottkykontakt hergestellt werden. Die topografische Untersuchung der Oberfläche der Sb/Si-Dioden zeigt eine raue, polykristalline Struktur. Mit einer BEES-Messung (ballistische Elektronen Emissions Spektroskopie) konnte die Barrierenhöhe der Sb/Si-Dioden abgeschätzt werden. Zusätzlich wurde mit BHEM der ballistische Löchertransport durch das PTCDA Molekül untersucht werden. Die PTCDA-Moleküle wurden dafür auf eine Bismut-Silizium (Bi/Si) Schottkydiode aufgebracht. Die Moleküle ordneten sich auf dem Bismut in der bekannten Herringbone Struktur an. In den BHEM Aufnahmen konnte auf den Molekülinseln ein molekularer Auflösung erreicht werden. Zum Schluss wurde die Oxidschicht an MIM-Dioden (Metall-Isolator-Metall) mit BEEM und BHEM Messungen untersucht. Die Ergebnisse widersprechen den gängigen BEEM Theorien. Aus diesem Grund wurde die Transmission von den Ladungsträgern durch die Oxidschicht simuliert und mit den Messdaten verglichen. Mit dieser Methode ist es gelungen aus den Messdaten ein Modell für die Barriere vorzuschlagen, das die experimentellen Ergebnisse richtig beschreibt.