Integration von piezoelektrischen Dünnschichten in die Siliziumtechnologie

Die Arbeit hat die Integration von piezoelektrischen PZT-Schichten in die Siliziumtechnologie zum Thema. Es wird ein spezielles Dünnschichtverfahren - das Gasflusssputtern - genutzt, um fünf bis 20 Mikrometer dicke PZT-Schichten herzustellen. Das Verfahren zeichnet sich durch vergleichsweise hohe Sputterraten aus und ist gleichzeitig kompatibel zur Siliziumtechnologie. Um die Leistungsfähigkeit des entwickelten Prozesses zu demonstrieren, wurde ein kompletter Prozessflow zur Herrstellung eines einfachen Membranaktuators entwickelt und durchgeführt. Im Anschluss wurden die Bauteile elektrisch und elektromechanisch characterisiert.