Die Methode der Wahl zur Charakterisierung tiefer Störstellen in der Bandlücke von Halblei-tern ist die in dieser Arbeit angewendete Deep-Level-Transient-Spectroscopy (DLTS). Ein-deutige Zuordnung von untersuchten Zuständen zu einzelnen Elementen gelingt mit Hilfe der Radiotracer-Technik: die mit der Elementtransmutation einhergehende typische Konzentrati-onsänderung führt zu kennzeichnenden Amplitudenveränderungen in den Spektren. Die speziellen Eigenschaften prädestinieren Siliziumkarbid (SiC) zum Material für Anwen-dungen unter widrigsten Bedingungen sowie für Hochspannungs- und Hochfrequenzbauele-mente. Der Einbau von Seltenen Erden in diese Matrix macht SiC als indirektes Halbleiter-material auch für die Optoelektronik interessant. Die vorgestellten Ergebnisse zu den Elemen-ten Erbium, Europium, Gadolinium und Samarium stellen den ersten verlässlichen Datensatz Selten Erd korrelierter Energieniveaus in 4H- und 6H-SiC dar und bieten eine Grundlage zum Verständnis des bisher noch ungeklärten Energietransfers vom Gitter auf die optisch aktiven Zentren.