Radiation effects and damage formation in semiconductors due to high-energy ion irradiation

Gegenstand dieser Arbeit war die Untersuchung ionenstrahlinduzierter Schädenbildung und -ausheilung in kristallinem und konventionell vorgeschädigtem Ge, GaAs un InP. Der zentrale Punkt der Untersuchung bestand in der Aufklärung des Einflusses verschiedener experimenteller Bedingungen auf die oben genannten Effekte.

Zitieren

Zitierform:
Zitierform konnte nicht geladen werden.

Rechte

Nutzung und Vervielfältigung:
Alle Rechte vorbehalten