Das Ziel dieser Arbeit ist es, die Anwendungsmöglichkeiten verschiedener Elektronenbeugungsmethoden zur Kristallstrukturanalyse ultradünner Schichten am Beispiel von Siliziumkarbid zu untersuchen. Den Schwerpunkt bildeten die Implementation und die Anwendung effektiver Simulationsverfahren. Dazu wurden neue Programme zur Simulation der Photoelektronenbeugung, der Beugung rückgestreuter Elektronen und dynamischer Effekte in Elektronenchannelingmustern entwickelt, die auf unterschiedlichen theoretischen Ansätzen beruhen. Die Gemeinsamkeiten zwischen Photoelektronenbeugung und Elektronenchannelingmustern werden dazu genutzt, einen Simulationsalgorithmus der Photoelektronenbeugung an Kristalloberflächen vorzustellen, welcher es ermöglicht hat, Berechnungen vollständiger Photoelektronenbeugungsmuster im Kontext der dynamischen Kikuchi-Band-Theorie durchzuführen. Damit kann die Äquivalenz des Cluster-Ansatzes und des Kikuchi-Band-Ansatzes in beiden Richtungen an vollständigen Beugungsmustern aufgezeigt werden. Zusammen mit den analysierten Rückstreueffekten von Elektronen in LEED und RHEED-Experimenten trägt dies insgesamt zu einer vereinheitlichten Sichtweise von Elektronenbeugungseffekten und der Modelle, die zu ihrer Beschreibung dienen, bei.