In dieser Arbeit wurden ausgewählte PVD- und CVD-Prozesse bei der Silicium-Dünnschichtabscheidung untersucht. Hierzu wurde ein in situ - Gasanalyse-Konzept mit effusivem Molekülstrahl, Flugzeitmassenspektrometer, (resonanter) Laserionisierung und Ionenzähltechnik realisiert. Ein elektrisch geheizter Si-Stab wurde im Vakuum (10-5 mbar) Si-Quelle (PVD) sowie in einer SiH4-Atmosphäre (0,1-1 mbar) als Heizung zur Silanpyrolyse (CVD) verwendet.