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Autor:
Wang, Yan 
Originaltitel:
Excimer-Laser-unterstützte Prozesse für die Siliziumtechnologie 
Jahr:
2002 
Typ:
Dissertation 
Einrichtung:
Universität der Bundeswehr München, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat. 
Gutachter:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat.; Baumgärtner, Hermann, Prof. Dr.-Ing. 
Format:
PDF 
Sprache:
Deutsch 
Fachgebiet:
Physik, Astronomie 
Schlagworte:
Silicium ; Halbleitertechnologie ; Excimer Laser ; Trockenätzen ; Dotierung ; Oxidation 
Stichworte:
Excimer Laser, XeF2, Ätzen, lokale Deltadotierung, lokale Oxidation, Siliziumtechnologie 
Kurzfassung:
Xenondifluorid (XeF2) Gas kann bei Raumtemperatur Silizium spontan ätzen. Der Prozeß verläuft nicht thermisch. Das Siliziumätzen mit XeF2 Gas wurde mit Hilfe des Excimerlasers ohne Fotolack untersucht. Um das spontane Ätzen zu unterdrücken, wurde Argon als Puffergas für den Ätzenprozeß benutzt. Das spontane Ätzen kann bei Raumtemperatur aber nicht ganz unterdrückt werden. Im UHV(Ultra-Hoch-Vakuum) System wurden Excimer Laser unterstützte lokale Deltadotierung von Antimon und Bor untersucht. Die...    »
 
Tag der mündlichen Prüfung:
31.10.2002 
Eingestellt am:
31.03.2003 
Ort:
Neubiberg 
Vorname (Autor):
Yan 
Nachname (Autor):
Wang