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Halbleiter-Übergitter-Schalter

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-331
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.9878
Ellmauer, Michael
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Sep 2001 10:45


Zusammenfassung (Deutsch)

Im Rahmen dieser Arbeit wurde erstmals ein Halbleiter-Übergitter-Schalter untersucht. Das Übergitter, das als Schalter wirkte, bestand aus einer periodischen Abfolge von Quantentöpfen (17 Monolagen) und -barrieren (3 Monolagen), die durch epitaktisch gewachsene GaAs- und AlAs-Schichten gebildet wurden. Das Übergitter zeigte in seinen elektrischen Eigenschaften Bistabilität mit einem Zustand ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

In this work a semiconductor superlattice switch was investigated for the first time. The superlattice working as a switch consisted of a periodic sequence of quantum wells and barriers, which were formed by epitactically grown GaAs and AlAs layers. The superlattice showed bistability in its electrical properties with one state of low and one state of higher conductance. The bistability can be ...

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