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Impact Ionization Induced by Terahertz Radiation in HgTe Quantum Wells of Critical Thickness

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-436014
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.43601
Hubmann, Stefan ; Budkin, G. V. ; Urban, Michael ; Bel'kov, V. V. ; Dmitriev, A. P. ; Ziegler, Johannes ; Kozlov, D. A. ; Mikhailov, N. N. ; Dvoretsky, S. A. ; Kvon, Z. D. ; Weiss, Dieter ; Ganichev, Sergey
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 20 Aug 2020 05:26



Zusammenfassung

We report on the observation of terahertz (THz) radiation induced band-to-band impact ionization in HgTe quantum well (QW) structures of critical thickness, which are characterized by a nearly linear energy dispersion. The THz electric field drives the carriers initializing electron-hole pair generation. The carrier multiplication is observed for photon energies less than the energy gap under the ...

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