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The Electronic Thickness of Graphene

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-404981
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.40498
Rickhaus, Peter ; Liu, Ming-Hao ; Kurpas, Marcin ; Kurzmann, Annika ; Lee, Yongjin ; Overweg, Hiske ; Eich, Marius ; Pisoni, Riccardo ; Tamaguchi, Takashi ; Wantanabe, Kenji ; Richter, Klaus ; Ensslin, Klaus ; Ihn, Thomas
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PDF - Eingereichte Version
arXiv PDF (01.07.2019)
(2MB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 15 Jul 2019 13:30



Zusammenfassung

The van-der-Waals stacking technique enables the fabrication of heterostructures, where two conducting layers are atomically close. In this case, the finite layer thickness matters for the interlayer electrostatic coupling. Here we investigate the electrostatic coupling of two graphene layers, twisted by 22 degrees such that the layers are decoupled by the huge momentum mismatch between the K and ...

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