Terahertz Laser Radiation Induced Resistivity Oscillations in GaAs Heterostructures

Dokumentenart:	Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Open Access Art:	Primärpublikation
Datum:	2 April 2019
Begutachter (Erstgutachter):	Prof. Dr. Sergey D. Ganichev und Prof. Dr. Christian Schüller
Tag der Prüfung:	27 März 2019
Institutionen:	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Stichwörter / Keywords:	Semiconductor, Terahertz, MIRO
Dewey-Dezimal-Klassifikation:	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:	Veröffentlicht
Begutachtet:	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:	Ja
Dokumenten-ID:	40044

Zusammenfassung (Englisch)

This thesis reports on the observation and analysis of microwave induced resisitivity oscillations induced by THz laser radiation in GaAs heterostructures. By selective excitation of the bulk and boundaries of the GaAs 2DEG samples, the study demonstrates that MIRO are caused in the bulk for all applied frequencies in the THz range. The oscillations are analyzed in the framework of the inelastic ...

Zusammenfassung (Englisch)

This thesis reports on the observation and analysis of microwave induced resisitivity oscillations induced by THz laser radiation in GaAs heterostructures. By selective excitation of the bulk and boundaries of the GaAs 2DEG samples, the study demonstrates that MIRO are caused in the bulk for all applied frequencies in the THz range. The oscillations are analyzed in the framework of the inelastic and the displacement mechanism. It is shown furthermore, that the dependence of the oscillations’ magnitude on the polarization’s helicity is weaker than theoretically expected. Lastly, the work demonstrates that MIRO are very robust even for illumination with high power radiation. The intensity dependence of the oscillations’ amplitude is intensively studied, revealing that electron gas heating is the dominant mechanism causing saturation in this frequency range.

Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

Diese Arbeit befasst sich mit THz-Laserstrahlung induzierten Oszillationen des spezifischen Widerstands (TIRO) in GaAs-Heterostrukturen. Durch selektive Anregung des Volumens und der Grenzen der GaAs-2DEG-Proben zeigt die Studie, dass TIRO für alle angewandten Frequenzen im THz-Bereich im Volumen verursacht werden. Die Schwingungen werden im Rahmen des Inelastischen- und des ...

Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

Diese Arbeit befasst sich mit THz-Laserstrahlung induzierten Oszillationen des spezifischen Widerstands (TIRO) in GaAs-Heterostrukturen. Durch selektive Anregung des Volumens und der Grenzen der GaAs-2DEG-Proben zeigt die Studie, dass TIRO für alle angewandten Frequenzen im THz-Bereich im Volumen verursacht werden. Die Schwingungen werden im Rahmen des Inelastischen- und des Verschiebungsmechanismus analysiert. Es wird weiterhin gezeigt, dass die Abhängigkeit der Größe der Schwingungen von der Helizität der Polarisation schwächer ist als theoretisch erwartet. Schließlich demonstriert die Arbeit, dass MIRO sehr robust auch bei Beleuchtung mit hoher Strahlungsleistung sind. Die Intensitätsabhängigkeit der Oszillationsamplitude wird intensiv untersucht. Es zeigt sich, dass die Erwärmung von Elektronengas der dominierende Mechanismus ist, der die Sättigung in diesem Frequenzbereich verursacht.

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