Startseite UR

Capacitance‐Voltage Measurements of (Bi1‐xSbx)2Te3 Field Effect Devices

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-383752
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.38375
Wang, Jimin ; Schitko, Markus ; Mussler, Gregor ; Gruetzmacher, Detlev ; Weiss, Dieter
[img]
Vorschau
PDF
(1MB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 20 Feb 2019 15:27


Zusammenfassung

Capacitance-voltage (C-V) traces in n-type-(Bi1-xSbx)(2)Te-3/oxide/metal capacitor structures using an AC capacitance bridge are investigated. By tuning the top gate voltage (V-tg) from positive to negative values, the system at the interface is tuned from accumulation, via depletion into inversion. The results show the typical low-frequency and high frequency C-V traces, depending on measuring ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner