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Electrically tunable exchange splitting in bilayergraphene on monolayer Cr2X2Te6 with X = Ge, Si, and Sn

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-374851
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.37485
Zollner, Klaus ; Gmitra, Martin ; Fabian, Jaroslav
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 12 Jul 2018 09:09



Zusammenfassung

We investigate the electronic band structure and the proximity exchange effect in bilayer graphene (BLG) on a family of ferromagnetic multilayers Cr2X2Te6, X = Ge, Si, and Sn, with first principles methods. In each case the intrinsic electric field of the heterostructure induces an orbital gap on the order of 10 meV in the graphene bilayer. The proximity exchange is strongly band-dependent. For ...

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