Startseite UR

Designing 3D topological insulators by 2D-Xene (X = Ge, Sn) sheet functionalization in the GaGeTe-type structures

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-358044
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.35804
Pielnhofer, F. ; Menshchikova, I. ; Rusinov, P. ; Zeugner, A. ; Sklyadneva, I. Yu. ; Heid, R. ; Bohnen, K.-P. ; Golup, P. ; Baranov, I. ; Chulkov, Evgueni V. ; Pfitzner, Arno ; Ruck, M. ; Isaeva, A.
[img]
Vorschau
PDF
(3MB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 06 Jul 2017 06:07


Zusammenfassung

State-of-the-art theoretical studies anticipate a 2D Dirac system in the "heavy'' analogues of graphene, free-standing buckled honeycomb-like Xenes (X = Si, Ge, Sn, Pb, etc.). Herewith we regard a 2D sheet, which structurally and electronically resembles Xenes, in a 3D periodic, rhombohedral structure of layered AXTe (A = Ga, In; X = Ge, Sn) bulk materials. This structural family is predicted to ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner