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Dynamic nuclear spin polarization in an all-semiconductor spin injection device with (Ga,Mn)As/n-GaAs spin Esaki diode

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-347588
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.34758
Shiogai, Junichi ; Ciorga, Mariusz ; Utz, Martin ; Schuh, Dieter ; Arakawa, T. ; Kohda, M. ; Kobayashi, K. ; Ono, T. ; Wegscheider, W. ; Weiss, Dieter
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Lizenz: Allianz- bzw. Nationallizenz
PDF - Veröffentlichte Version
(1MB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 24 Okt 2016 14:10



Zusammenfassung

We investigate the dynamic nuclear spinpolarization in an n-GaAs lateral channel induced by electrical spin injection from a (Ga,Mn)As/n-GaAs spin Esaki diode. Signatures of nuclear spinpolarization are studied in both three-terminal and non-local voltage signals, where a strong electron spin depolarization feature is observed close to zero magnetic field. This is due to the large nuclear field ...

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