Spin dephasing and phtoinduced spin diffusion in a high-mobility two-dimensional electron system embedded in a GaAs-(Al,Fa)As quantum well grown in the [110] direction

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-321553
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.32155

Voelkl, Roland ; Griesbeck, Michael ; Tarasenko, Sergey ; Schuh, Dieter ; Wegscheider, Werner ; Schueller, Christian ; Korn, Tobias

Vorschau

PDF
(229kB)

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 16 Jul 2015 14:22

Alternative Links zum Volltext:DOI

Details

Vorschau

Bibliographische Daten exportieren

Zusammenfassung

We have studied spin dephasing and spin diffusion in a high-mobility two-dimensional electron system, embedded in a GaAs/AlGaAs quantum well grown in the [110] direction, by a two-beam Hanle experiment. For very low excitation density, we observe spin lifetimes of more than 16 ns, which rapidly decrease as the pump intensity is increased. Two mechanisms contribute to this decrease: The optical ...

Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloadstatistik

Altmetric

Alternative Statistik (altmetrics)

Weitere Literatur (mittels CORE)

Details

Vorschau

Bibliographische Daten exportieren

Zusammenfassung

Zusammenfassung

Downloadstatistik

Downloads

Alternative Statistik (altmetrics)

Weitere Literatur (mittels CORE)

Universitätsbibliothek