Response of the topological surface state to surface disorder in TIBiSe2

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-317592
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.31759

Pielmeier, Florian ; Landolt, Gabriel ; Slomski, Bartosz ; Muff, Stefan ; Berwanger, Julian ; Eich, Andreas ; Khajetoorians, Alexander A. ; Wiebe, Jens ; Aliev, Ziya S. ; Babanly, Mahammad B. ; Wiesendanger, Roland ; Osterwalder, Jürg ; Chulkov, Evgueni V. ; Giessibl, Franz J. ; Dil, J . Hugo

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 29 Apr 2015 10:08

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Through a combination of experimental techniques we show that the topmost layer of the topological insulator TlBiSe2 as prepared by cleavage is formed by irregularly shaped Tl islands at cryogenic temperatures and by mobile Tl atoms at room temperature. No trivial surface states are observed in photoemission at low temperatures, which suggests that these islands cannot be regarded as a clear ...

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