TAMR-Effekt beim Tunneln durch einkristalline GaAs-Barrieren

Dokumentenart:	Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Open Access Art:	Primärpublikation
Datum:	6 Februar 2013
Begutachter (Erstgutachter):	Prof. Dr. Dieter Weiss
Tag der Prüfung:	28 Januar 2013
Institutionen:	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Themenverbund:	Nicht ausgewählt
Stichwörter / Keywords:	TAMR, GaAS, tunnelling, tunnelling barrier, Fe, FeCo, FePt, Rashba, Dresselhaus, spin orbit interaction, Tunneln, Tunnelbarriere, Spin Bahn Wechselwirkung
Dewey-Dezimal-Klassifikation:	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:	Veröffentlicht
Begutachtet:	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:	Ja
Dokumenten-ID:	27633

Zusammenfassung (Deutsch)

Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden Untersuchungen zum TAMR-Effekt in magnetischen Tunnelstrukturen mit einer einkristallinen GaAs-Barriere durchgeführt. Als ferromagnetische Elektrodenmaterialien wurden hierfür Fe-, FeCo- und FePt-Schichten verwendet. Der auftretende TAMR-Effekt wurde hierbei bezüglich seines Verhaltens gegenüber Veränderungen der äußeren Parameter, wie der angelegten ...

Zusammenfassung (Deutsch)

Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden Untersuchungen zum TAMR-Effekt in magnetischen Tunnelstrukturen mit einer einkristallinen GaAs-Barriere durchgeführt. Als ferromagnetische Elektrodenmaterialien wurden hierfür Fe-, FeCo- und FePt-Schichten verwendet. Der auftretende TAMR-Effekt wurde hierbei bezüglich seines Verhaltens gegenüber Veränderungen der äußeren Parameter, wie der angelegten Spannung, der Temperatur und dem äußeren Magnetfeld untersucht. Die physikalische Ursache des Effekts wurde der Wechselwirkung von Rashba- und Dresselhaus-Spin-Bahn-Wechselwirkung im Inneren der Tunnelbarriere und an den Metall/Halbleiter-Grenzflächen zugesprochen.

Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

Within the scope of this thesis the TAMR-effect in magnetic tunnel junctions with a single-cristalline GaAs-barrier was investigated. As ferromagnetic electrodes Fe-, FeCo- and FePt-layers were used. The measured TAMR-effect was investigated with respect to its behaviour towards changes in external Parameters, like the applied voltage, the temperature and the external magnetic field. The physical ...

Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

Within the scope of this thesis the TAMR-effect in magnetic tunnel junctions with a single-cristalline GaAs-barrier was investigated. As ferromagnetic electrodes Fe-, FeCo- and FePt-layers were used. The measured TAMR-effect was investigated with respect to its behaviour towards changes in external Parameters, like the applied voltage, the temperature and the external magnetic field. The physical origin of the effect was attributed to the interaction of Rashba- and Dresselhaus-Spin-Orbit-coupling inside the tunnelling barrier and at the metal/semiconductor-interfaces.

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