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Pattern Formation in Semiconductors

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-22122
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.2212
Belkov, Vassilij ; Hirschinger, J. ; Niedernostheide, F. ; Ganichev, Sergey ; Prettl, Wilhelm ; Novák, V.
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37


Zusammenfassung

In semiconductors, nonlinear generation and recombination processes of free carriers and nonlinear charge transport can give rise to non-equilibrium phase transitions. At low temperatures, the basic nonlinearity is due to the autocatalytic generation of free carriers by impact ionization of shallow impurities. The electric field accelerates free electrons, causing an abrupt increase in free ...

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