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Circular photogalvanic effect induced by monopolar spin orientation in p-GaAs/AlGaAs MQW

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-22057
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.2205
Ganichev, Sergey ; Ivchenko, Eougenious ; Ketterl, Hermann ; Prettl, Wilhelm ; Vorobjev, L.
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37


Zusammenfassung

The circular photogalvanic effect (CPGE) has been observed in (100)-oriented p-GaAs/AlGaAs quantum wells at normal incidence of far-infrared radiation. It is shown that monopolar optical spin orientation of free carriers causes an electric current which reverses its direction upon changing from left to right circularly polarized radiation. CPGE at normal incidence and the occurrence of the linear ...

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