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- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-18263
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.1826
Zusammenfassung
The anharmonic decay rates of atomic vibrations in amorphous silicon (a-Si) and paracrystalline silicon (p-Si), containing small crystalline grains embedded in a disordered matrix, are calculated using realistic structural models. The models are 1000-atom four-coordinated networks relaxed to a local minimum of the Stillinger-Weber interatomic potential. The vibrational decay rates are calculated ...
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