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Hall voltage collapse at filamentary current flow causing chaotic fluctuations in n-GaAs

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-173381
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.17338
Brandl, A. ; Kröninger, W. ; Prettl, Wilhelm ; Obermair, Gustav M.
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 18 Okt 2010 11:49



Zusammenfassung

Experimental investigations of the Hall effect at the occurrence of autonomous current fluctuations in high-purity n-GaAs epitaxial layers at low temperatures show that the transition to chaos is accompanied by intermittent collapses in the Hall voltage. This may represent the significant third mechanism for a transition into chaos according to the Ruelle-Takens-Newhouse scenario. Basically, ...

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