Einzel-Quantenpunkt-Speichertransistor: Experiment und Modellierung

Single quantum dot memory transistor: Experiment and modeling

Please always quote using this URN: urn:nbn:de:bvb:20-opus-80600
  • In dieser Arbeit wurden Einzel-Quantenpunkt-Speichertransistoren im Experiment untersucht und wesentliche Ergebnisse durch Modellierung nachgebildet. Der Einzel-Quantenpunkt-Speichertransistor ist ein Bauelement, welches durch eine neuartige Verfahrensweise im Schichtaufbau und bei der Strukturierung realisiert wurde. Hierbei sind vor allem zwei Teilschritte hervorzuheben: Zum einen wurde das Speicherelement aus positionskontrolliert gewachsenen InAs Quantenpunkten gebildet. Zum anderen wurden durch eine spezielle Trockenätztechnik schmaleIn dieser Arbeit wurden Einzel-Quantenpunkt-Speichertransistoren im Experiment untersucht und wesentliche Ergebnisse durch Modellierung nachgebildet. Der Einzel-Quantenpunkt-Speichertransistor ist ein Bauelement, welches durch eine neuartige Verfahrensweise im Schichtaufbau und bei der Strukturierung realisiert wurde. Hierbei sind vor allem zwei Teilschritte hervorzuheben: Zum einen wurde das Speicherelement aus positionskontrolliert gewachsenen InAs Quantenpunkten gebildet. Zum anderen wurden durch eine spezielle Trockenätztechnik schmale Ätzstrukturen erzeugt, welche sehr präzise an der lateralen Position der Quantenpunkte ausgerichtet war. Durch diese Verfahrensweise war es somit möglich, Transistorstrukturen mit einzelnen Quantenpunkten an den charakteristischen Engstellen des Kanals zu realisieren.show moreshow less
  • In this thesis single-quantum-dot memory-transistors have been studied in experiment and the experimental findings have been reproduced by modeling. The studied single-quantum-dot memory transistor is a device which has been realized by a novel process technique as regards layer composition and structuring. According to this there are two steps to be emphasized: First the memory element is based on site-controlled grown InAs quantum dots. Second, there has been used a unique dry etching technique to define narrow etched structures, which haveIn this thesis single-quantum-dot memory-transistors have been studied in experiment and the experimental findings have been reproduced by modeling. The studied single-quantum-dot memory transistor is a device which has been realized by a novel process technique as regards layer composition and structuring. According to this there are two steps to be emphasized: First the memory element is based on site-controlled grown InAs quantum dots. Second, there has been used a unique dry etching technique to define narrow etched structures, which have been precisely aligned laterally with respect to the position of the quantum dots. Due to this method it was possible to realize transistor structures with single quantum dots centered in a quantum wire.show moreshow less

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Metadaten
Author: Sebastian Göpfert
URN:urn:nbn:de:bvb:20-opus-80600
Document Type:Doctoral Thesis
Granting Institution:Universität Würzburg, Fakultät für Physik und Astronomie
Faculties:Fakultät für Physik und Astronomie / Physikalisches Institut
Date of final exam:2013/07/17
Language:German
Year of Completion:2012
Dewey Decimal Classification:5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik
GND Keyword:Quantenpunkt; Transistor; Speicherelement
Tag:Elektronischer Transport; Nanotechnologie
Single electron transfer; nanotechnology; single electron transport; single quantum dot
Release Date:2013/09/09
Advisor:Prof. Dr. Lukas Worschech
Licence (German):License LogoDeutsches Urheberrecht