- AutorIn
- Alexander Schmid
- Titel
- Untersuchungen zu Vanadium-basierten ohmschen Kontakten in AlGaN/GaN-MISHFETs
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:105-qucosa2-714584
- Datum der Einreichung
- 04.12.2019
- Datum der Verteidigung
- 24.06.2020
- Abstract (DE)
- Bauelemente auf Basis von AlGaN/GaN-Heterostrukturen bieten vielversprechende Eigenschaften für Hochfrequenz- und leistungselektronische Anwendungen. Dazu zählen die hohe Elektronenmobilität im zweidimensionalen Elektronengas (2DEG) und eine hervorragende Durchbruchsfeldstärke. Die effiziente ohmsche Kontaktierung der Source- und Drain-Gebiete von Hetero-Feldeffekttransistoren mit Gate-Dielektrikum (MISHFETs) stellt jedoch eine Herausforderung dar. In dieser Arbeit werden unterschiedliche Kontaktstapel auf Basis von Ti/Al/Ni/Au und V/Al/Ni/Au hinsichtlich ihrer Eignung als ohmsche Kontaktierung verglichen. Mit Hilfe von elektrischen und mikrostrukturellen Methoden werden die Vorgänge bei der Ausbildung des elektrischen Kontakts untersucht. Während der etablierte Ti-haltige Kontaktstapel einen Hochtemperaturschritt bei mindestens 800°C benötig, um einen hinreichend guten Kontaktwiderstand zu erzielen, lässt sich mit der V-basierten Metallisierung eine Reduzierung der notwendigen Temperatur um bis zu 150 K erreichen. Die so optimierten Kontakte werden als Source- und Drain-Metallisierung für MISHFETs genutzt. Es wird gezeigt, dass die Reduzierung der Formierungstemperatur bei V-haltigen Kontakten einen positiven Effekt auf die Eigenschaften der Bauelemente hat. So wird die Schädigung des 2DEGs minimiert und es können Transistoren mit geringerem Leckstrom und höherem An/Aus-Verhältnis des Drain-Stroms hergestellt werden.
- Freie Schlagwörter (DE)
- AlGaN/GaN, Ohmscher Kontakt, HFET
- Freie Schlagwörter (EN)
- AlGaN/GaN, Ohmic contact, HFET
- Klassifikation (DDC)
- 530
- Normschlagwörter (GND)
- HEMT
- Galliumnitrid
- Ohm-Kontakt
- Vanadium
- GutachterIn
- Prof. Dr. rer. nat. Johannes Heitmann
- Prof. Dr.-Ing. Thomas Mikolajick
- BetreuerIn Hochschule / Universität
- Prof. Dr. rer. nat. Johannes Heitmann
- Den akademischen Grad verleihende / prüfende Institution
- TU Bergakademie Freiberg, Freiberg
- Version / Begutachtungsstatus
- publizierte Version / Verlagsversion
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:bsz:105-qucosa2-714584
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 03.08.2020
- Dokumenttyp
- Dissertation
- Sprache des Dokumentes
- Deutsch