- AutorIn
- Anke Henning
- Titel
- Strukturuntersuchungen von Chromdisilicid - Schichten
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:ch1-200200301
- Datum der Einreichung
- 11.04.2002
- Abstract (DE)
- CrSi2 ist eines der wenigen halbleitenden Silicide. Wegen seiner hohen thermischen und chemischen Stabilität ist es einerseits für thermoelektrische Anwendungen geeignet, andererseits kommt es auch für photovoltaische und mikro-elektronische Applikationen in Frage. Vorraussetzung ist oftmals eine definierte Silizium(001)-Silicid Grenzfläche. Aus diesem Grunde wurden dünne CrSi2-Schichten in einer MBE-Anlage unter UHV-Bedingungen auf n-Si(001) Substrat gewachsen. Die sich ergebene Schichtmorphologie wurde in Abhängigkeit von unterschiedlichen Herstellungsparametern mittels TEM und REM untersucht. Des weiteren wurden die Schichten mit Hilfe von Elektronen- und Röntgenbeugung hinsichtlich bevorzugt auftretender Epitaxiebeziehungen charakterisiert.
- Freie Schlagwörter
- Chromdisilicid
- TEM
- Klassifikation (DDC)
- 530
- Normschlagwörter (GND)
- Epitaxie
- Dünne Schicht
- Silicide
- Morphologie
- Kristallographie
- Elektronenmikroskopie
- Den akademischen Grad verleihende / prüfende Institution
- Technische Universität Chemnitz, Chemnitz
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:bsz:ch1-200200301
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 11.04.2002
- Dokumenttyp
- Diplomarbeit
- Sprache des Dokumentes
- Deutsch